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富士FUJI推出第7代IGBT模块和SiC相关半导体器件
编辑:富士IGBT模块代理 [ 2017/7/19 23:29:45 ] 文章来源:富士IGBT官网
富士FUJI推出第7代IGBT模块和SiC相关半导体器件

为期3天的上海国际电力原件、可再生能源管理展览会(PCIM Asia )于6月28日在上海世博展览馆盛大开幕。富士电机(中国)有限公司携新品富士电机X系列第7代IGBT和SiC相关器件亮相展会。

 

IGBT模块是一种能实现节能和稳定供电的核心器件,被广泛应用于各种工业设备如电机驱动用变频器、不间断电源装置(UPS)、风能和太阳能发电设备用功率调节器等。 富士公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度,使其小型化,从而优化元件结构。因此,与以往产品相比,降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。

 

运用新开发的绝缘板,提高模块的散热性能。通过与降低电力损耗配合控制散热,与以往制品相比,约减小36%,实现了小型化。另外,通过将连续运行时芯片的最大保证温度从150℃升到175℃,可以在保持运载机器尺寸的同时,将输出电流最多增加35%。因此有助于机器的小型化和降低总成本。修正模块的构造和所使用的部件,提高了高温运行时的稳定性和持久性。有助于提高运载机器的可靠性。

 

SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

 

中国制造2025的提出,预示着制造业转型势在必行。用户需求受到国家政策主导和行业发展推动影响,对半导体原材料要求更高、产品技术要求更高、产品可靠性要求更高,同时在保证上述需求的基础上要求有更高的性价比。

 

面对这些,富士电机半导体凭借三十多年的经验积累不断追求技术创新,对产品进行全方位升级优化,并且以本地化生产、快速服务响应来贴近中国用户。

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